BÀI TẬP KỸ THUẬT ĐO LƯỜNG

ĐO LƯỜNG ĐIỆN BÀI TẬP CHƯƠNG I: ĐO ĐIỆN ÁP VÀ DÒNG ĐIỆN Một ampe-kế dùng tổ chức cơ cấu đo trường đoản cú điện bao gồm điện trở cơ cấu tổ chức đo R(m) =99Ω cùng dòng1.1 có tác dụng lệch tối đa Imax = 0,1mA.

Bạn đang xem: Bài tập kỹ thuật đo lường

Điện trở shunt Rs = 1Ω. Tính mẫu điện tổng cộng trải qua ampe-kế trong các trường hợp: a) kim lệch về tối đa b) 0,5Dm; (FSD = Imax, full scale deviation) c) 0,25Dm Hình B.1.1 Giải: a) kim lệch buổi tối đa Dm: Điện áp nhị đầu cơ cấu đo: Vm=Im.Rm=0,1mA.99Ω=99mV Vm 9,9mV IsRs = Vm => Is = = = 9,9mA 1Ω Rs cái tổng cộng: I = Is + I = 9,9 + 0,1 = 10mA b) 0,5Dm: yên ổn = 0,5 . 1mA = 0,05mA Vm = Im.Rm = 0,05mA.99Ω = 4,95mV Vm 4.95mV = = 4.95mA Is = 1Ω Rs I = Is + yên ổn = 4.95mA + 0,05mA=5mA c)0,25mA: lặng = 0,25.0,1mA = 0,025mA Vm = ImRm = 0,025mA.99Ω = 2,475mV Trang 1ĐO LƯỜNG ĐIỆN BÀI TẬP Vm 2,475 = = 2,475V Io= Rs 11.2 Một cơ cấu đo trường đoản cú điện tất cả I= 100µA, năng lượng điện trở nội form quay R= 1KΩ. Tính điệntrở shunt mắc vào cơ cấu đo để đổi mới một ampe-kế tương ứng với hình 1.1. A) Dm = 100mA = tầm đo 1 b) Dm = 1A = tầm đo 2Giải: a) ngơi nghỉ tầm đo 100mA Vm= ImRm = 100.1 = 100mV It = Is+ im => Is = It –Im = 100mA – 100µA = 9,9mA Vm 100mV = = 1,001Ω Rs = Is 99,9mA b) Ở trung bình đo 1A: Vm = ImRm = 100mV Is= It – yên = 1A- 100µA= 999,9mA Vm 100mV = = 0,10001Ω Rs= Is 999,9mA1.3 Một cơ cấu đo từ điện có cha điện trở shunt được mắc theo kiểu shunt ayrton áp dụng làm ampe-kế. Bố điện trở bao gồm trị số R1=0,05Ω, R2=0,45Ω, R3=4,5Ω, Rm= 1kΩ, Imax= 50µA, bao gồm mạch đo như hình sau, tính những trị số trung bình đo của ampe-kế Hình B.1.3 Giải: Trang 2ĐO LƯỜNG ĐIỆN BÀI TẬP trên độ lệch 0,5 Dm Vs= Imax.Rm= 50µA.1kΩ = 50mV Vs 50 = = 10mA Is= R1 + R2 + R3 5Ω It=Is+Im=50µA+10mA = 10,05mA; I=10mA. Khóa điện ở C: Vs= Im(Rm+R3) = 50µA.(1kΩ+4,5Ω) = 50mV Vs 50mV = = 100mA Is= R1 + R 2 0,5Ω + 4,5Ω Khóa năng lượng điện ở D: Vs= Im(Rm +R2 +R3) = 50µA(1kΩ + 4,5Ω +0,45Ω) =50mV Vs 50mV = = 1A.I = 50µA+1A=1,00005A = 1A Is = R1 0,05Ω1.4 Một tổ chức cơ cấu đo từ điện Imax =100µA,điện trở dây nội (dây quấn) Rm = 1KΩ được áp dụng làm vôn kế DC. Tính năng lượng điện trở khoảng đo nhằm vônkế gồm Vtd= 100V. Tính năng lượng điện áp V nhì đầu vôn kế lúc kim gồm độ lệch 0,75Dm; 0,75Dm và 0,25Dm (độ lệch về tối đa Dm) Hình B.1.4 Giải: V − Rm V = yên (Rs + Rm) => Rs = im Khi V= Vtd=100V => yên ổn = Imax =100µA 100V Rs = -1KΩ =999KΩ 100 µA Trang 3ĐO LƯỜNG ĐIỆN BÀI TẬP tại độ lệch 0,75 Dm lặng = 0,75.100µA = 75µA V= Im(Rs+ Rm) 75µA(999kΩ +1kΩ)=75V tại độ lệch 0,5 Dm yên = 50 µA V= 50 µA(999 kΩ+1kΩ)=50V trên độ lệch 0,25 Dm V= 25µA(999 kΩ+1kΩ)=25V1.5 Một cơ cấu tổ chức đo từ điện bao gồm Imax=50 µA; Rm =1700 Ω được thực hiện làm vôn kế DC có tầm đo 10V, 50V, 100V. Tính những điện trở tầm đo theo như hình sau: Hình B.1.5 Giải theo như hình a: V Rm + R1 = I max V 10V = > R1 = − Rm = − 1700Ω = 198,3kΩ 50 µA I max 50V R2 = − 1700Ω = 998,3kΩ 50 µA 100V R3 = − 1700Ω = 1,9983MΩ 50 µA theo hình b: Trang 4ĐO LƯỜNG ĐIỆN BÀI TẬP V1 10V R1 = − Rm = − 1700Ω = 198,3kΩ 50 µA I max V2 Rm + R1 + R2 = yên V2 50V R2 = − R1 − Rm = − 198,3kΩ − 1700Ω = 800kΩ 50 µA im ax V V3 Rm + R1 + R2 + R3 = = > R3 = 3 − R2 − R1 − Rm I max yên 100V = − 800kΩ − 198,3kΩ − 1700Ω = 1MΩ 50 µA 1.6 Một vônkế có tầm đo 5V, được mắc vào mạch, đo năng lượng điện áp nhị đầu điện trở R2 như hình sau:a) Tính năng lượng điện áp VR2 khi chưa mắc Vônkế.b) Tính VR2 khi mắc vôn kế, có độ nhạy cảm 20kΩ/V.c) Tính VR2 lúc mắc vôn kế, bao gồm độ nhạy bén 200kΩ/V Hình B.1.6 Giải: a) VR2 khi không mắc Vônkế. 50kΩ R2 VR 2 = E = 12V = 5V R1 + R 2 70kΩ + 50kΩ b)Với vôn kế tất cả độ nhạy cảm 20kΩ/V. Rv=5V.20kΩ/V=100kΩ Rv//R2=100kΩ//50kΩ=33,3kΩ 33,3kΩ Rv // R2 =E = 12V = 3,87V R1 + Rv // R2 70kΩ + 33,3kΩ VR2= Trang 5ĐO LƯỜNG ĐIỆN BÀI TẬP c)Với vôn kế tất cả độ nhạy 200kΩ/V Rv=5V.200kΩ/V=1kΩ Rv//R2=1MΩ//50kΩ= 47,62kΩ 47,62kΩ V R 2 = 12V =4,86V 70kΩ + 47,62kΩ 4,86V 1.7 Một cơ cấu tổ chức đo trường đoản cú điện gồm Ifs= 100µA cùng điện tr73 tổ chức cơ cấu đo Rm =1kΩ được sử dụng làm vônkế AC gồm V tầm đo = 100V. Mạch chỉnh lưu bao gồm dạng cầu áp dụng diode silicon như hình vẽ, diode tất cả VF(đỉnh) =0,7V a) tính điện trở nối liền Rs b) Tính độ lệch của vônkế khi năng lượng điện áp chuyển vào vônkế là 75V cùng 50V (trị hiệu dụng-RMS). C) Tính độ nhạy của vôn kế. Biểu đạt đo là biểu thị xoay chiều dạng sin. Hình B.1.7 Giải: a) Tính Rs:Đây là mạch chỉnh lưu giữ toàn kì cần ta có quan hệ: IP(trị đỉnh)= Itb/0,637 Vm (trị đỉnh)= 2V tổ chức cơ cấu đo có: Trang 6ĐO LƯỜNG ĐIỆN BÀI TẬP 100 µA I Fs = I tb = 100µA ⇒ I p = = 157 µA 0,637 tacó : 1,414Vtd − 2V F 1,414Vtd − 2V F = ⇒ Rs = − Rm Rs + Rm Ip (1,414.100V ) − (2.0,7V ) = − 1kΩ = 890,7 kΩ 157 µA b) KhiV = 75V 1,414V − 2VF (1,414 × 75V ) − (2 × 0,7V ) I tb = 0,637 I m = 0,637 = 0,637 Rs + R m 890,7 kΩ + 1kΩ I tb = 75µA KhiV = 50V (1,414 × 50V ) − (2 × 0,7V ) = 50 µA I tb = 0,673 890,7 kΩ + 1kΩ c) I m = 157 µA ⇒ I ( RMS ) = 0,707 IP = 0,707 × 157 µA = 111µA 100V R= = 900,9kΩ. 111µA 900,9kΩ = 9,009kΩ / V Độ nhạy= 100V 1.8 Một tổ chức cơ cấu đo từ bỏ điện tất cả Ifs = 50µA; Rm = 1700Ω kết phù hợp với mạch chỉnh lưu chào bán kì như hình sau. Diod silicon D1 có mức giá trị chiếc điện thuận If (đỉnh) buổi tối thiểu là 100 µA. Khi điện áp đo bằng 20% Vtầm đo , diode bao gồm VF = 0,7V, vôn kế có Vtầm đo = 50V. A) Tính Rs cùng RSH b) Tính độ nhạy của Vônkế trong hai trường hợp: tất cả D2 và không tồn tại D2 Hình B.1.8 Giải: a)Tính Rs cùng RSH Trang 7ĐO LƯỜNG ĐIỆN BÀI TẬP Ở đây sử dụng chỉnh lưu cung cấp kì phải ta có: Ip=Itb/(0,5.0,673): trị đỉnh trong trường hòa hợp chỉnh lưu chào bán kì tổ chức cơ cấu đo có Ifs = Itb = 50 µA=> Im= 50 µA/(0,5.0,673) = 157 µA(trị đỉnh) lúc V= 20% Vtd, IF(đỉnh) có giá trị 100 µA. Vậy khi V= Vtd, IF(đỉnh) có mức giá trị: 100% × 100µA = 500 µA IF = 20% I F = I m + I SH ⇒ I SH = I F − I M = 500 µA − 157 µA = 343µA V phường = I m Rm = 157 µA × 1700Ω = 266,9mV Vm 266,9mV RSH = = = 778Ω 343µA I SH 1,414Vtd − Vm − V F IF = RS 1,414Vtd − Vm − V F 1,414 × 50V − 266,9mV − 0,7V Rs = = = 139,5kΩ 500 µA IF b)Tính độ nhạy: • gồm D2 trong chào bán kì dương, chiếc qua D1 có mức giá trị đỉnh: IF=500 µA Trong bán kì âm, cái qua vônkế có giá trị đỉnh: 1,414Vtd 1,414.50V = 500 µA I= = 139,5kΩ Rs I hiêudung = 0,707.500 µA = 353,5µA( RMR)c 50V ( RMR) Rtông = = 141,4kΩ 353,5µA( RMR) 141,4kΩ Đônhay = = 2,8kΩ / V 50V • không tồn tại D2: Trong bán kì dương:IF(đỉnh) = 500 µA. Trong phân phối kì âm: I = 0 vào chu kì của tín hiệu: Ihiệu dụng =0,5I F(đỉnh) cùng với I được coi là dòng điện mạch thiết yếu chạy qua Rs trong chào bán kì dương. Trang 8ĐO LƯỜNG ĐIỆN BÀI TẬP T2 2 I F ( đinh ) 1 ∫ ( I F sin ωt ) 2 dt = I hiêudung = 2 2T 4 0 I = 0,5.500 µA = 250 µA 50V R= = 200kΩ 250 µA 200kΩ Đô _ nhay := = 4kΩ / V 50V 1.9 Một ampe kế sử dụng cơ cấu đo tự điện gồm cầu chỉnh lưu lại và biến hóa dòng như hình vẽ. Biết rằng tổ chức cơ cấu đo có Ifs = 1mA cùng Rm = 1700Ω. Biết dòng tất cả Nthứ = 500; Nsơ = 4. Diode cóVF(đỉnh) = 0,7V; Rs=20kΩ. Ampe kế lệch tối đa khi chiếc sơ cung cấp Ip = 250mA. Tính quý hiếm RL. Hình B.1.9 Giải: Chỉnh lưu lại toàn kì đề xuất ta có: Itb 1mA Im(trị đỉnh) = = = 1,57 mA 0,637 0,673 Điện áp Em ở nhì đầu cuộn thứ biến đổi dòng(trị đỉnh): Em = (Rm+Rs) + 2VF = 1,57mA(20kΩ + 1700Ω) + 1,4V= 35,5V  Es(trị hiệu dụng) = (0,707.35,5V) = 25,1V cái làm lệch tối đa cơ cấu đo gồm trị hiệu dụng I: I = 11,1Itb = 11,1.1mA=11,1mA Ta có: Trang 9ĐO LƯỜNG ĐIỆN BÀI TẬP N so 4 I thu = I so = 250mA = 2mA N thu 500 I thu = I q + I L ⇒ I L = 2mA − 11,1mA = 0,89mA; (với Iq=Iqua tổ chức cơ cấu đo) Es 25,1V RL = = = 28,2kΩ E L 0,89mA CHƯƠNG II: ĐO ĐIỆN TRỞ 2.1 đến Eb = 1,5; R1= 15kΩ; Rm =1kΩ; R2 = 1kΩ; Imax = 50µA. Khẳng định trị số phát âm của Rx khi Ib = Imax; im = ½ Imax; lặng =3/4 Imax . Giải: Tại lặng =Imax = 50µA; Vm = Imax × Rm = 50µA × 1kΩ = 50mA. Vm 50mV = 50 µA . Vì thế dòng điện: Ib = 100µA. Bởi đó: I m = = 1kΩ R2 Eb Vậy R x + R1 # nếu như R x + R1 >> R2 // Rm >> 500Ω . Ib 1,5V = 15kΩ. Rx +15kΩ = 15kΩ; Rx = 0Ω. # 100 µA Khi im =1/2 Imax = 25µA; Vm = 25mV ⇒ I2 = 25µA. 1,5V Suy ra Ib = 50µA. Vậy Rx + R1 # ; Rx # 15kΩ. 50 µA tương tự như phương pháp tính trên. Lặng = ba phần tư Imax = 37,5µA. Ib = yên + I2 = 37,5µA + 37,5µA = 75µA. 1,5V Rx + R 1 = = 20kΩ, Rx = 5kΩ. 75µA 2.2 Một ohm-kế loại nối liền có mạch đo (Hinh bên dưới đây). Mối cung cấp Eb = 1,5V, cơ cấu tổ chức đo tất cả Ifs = 100µA. Điện trở R1 + Rm = 15kΩ. A)Tính loại điện chạy qua cơ cấu tổ chức đo lúc Rx = 0. B)Tính trị giá bán Rx để cho kim chỉ thi có độ lệch bằng 50% FSD, 1/4 FSD, ba phần tư FSD (FSD: độ lệch buổi tối đa thang đo.) Trang 10ĐO LƯỜNG ĐIỆN BÀI TẬP Hình B.2.2 Giải: Eb 1,5V = 100 µA (FSD). A. I m = = R x + R1 + Rm 0 + 15kΩ Độ lệch bằng một nửa FSD: b.

Xem thêm: Trận Đấu Giữa Man City Vs West Ham Chính Thức Bị Hoãn, Manchester City Vs West Ham United

100 µA = 50 µA (vì tổ chức cơ cấu đo đường tính.) yên ổn = 2 ( ) E E 1,5V R x + R1 + Rm = b ⇒ R x = b − R1 + Rm = − 15kΩ = 15kΩ 50 µA lặng Im Độ lệch bằng 1/4 FSD: 100µA 1,5V = 25µA ; R x = − 15kΩ = 45kΩ yên = 25µA 4 Độ lệch bằng 3 phần tư FSD: 1,5V lặng = 0,75 × 100µA = 75µA; R x = − 15kΩ = 5kΩ. 75µA 2.3 Một ohm-kế tất cả mạch đo như hình sau. Biết Eb =1,5V, R1 = 15kΩ; Rm = 50Ω; R2 = 50Ω; cơ cấu tổ chức đo có Ifs = 50µÂ. Tính trị giá chỉ Rx khi kim chỉ thị có độ lệch về tối đa: (FSD); một nửa FSD và ba phần tư FSD. Trang 11ĐO LƯỜNG ĐIỆN BÀI TẬP Hình B.2.3 Giải: khi kim lệch tối đa (FSD): im = 50µA; Vm = Im.Rm = 50µA×50Ω = 2,5mV. Vm 2,5Vm = 50 µA I2 = = 50Ω R2 mẫu điện mạch chính: Ib = I2 + yên ổn = 50µA + 50µA = 100µA. E 1,5V R x + R1 = b = = 15kΩ I b 100 µA Rx = ( Rx + R1) – R1 = 15kΩ - 15kΩ = 0 Kim lệch một nửa FSD: 1,25mV = 25µA lặng = 25µA; Vm = 25µA × 50Ω = 1,25mV; I 2 = 50Ω Ib = 25µA + 25µA = 50µA. 1,5V Rx + R1 = = 30kΩ ; Rx = 30kΩ - 15kΩ = 15kΩ. 50 µA Kim lệch 3 phần tư FSD: im = 0,75 × 50µA = 37,5µA; Vm = 37,5µA×50Ω = 1,875mV. 1,875mV = 37,5µA ; Ib = 37,5µA + 37,5µA = 75µA. I 2= 50Ω 1,5V R x + R1 = = 20kΩ ⇒ R x = 20kΩ − 15kΩ = 5kΩ . 75µA Trang 12ĐO LƯỜNG ĐIỆN BÀI TẬP 2.4 Một ohm-kế teo mạch đo nhiu hình bai 3. Có nguồn Eb giam xuống chỉ với 1,3V. Tính trị giá new của R2 ?.?lại những giá trị Rx tương ứng với độ lệch của kim: một nửa FSD, ba phần tư FSD. Giải: Eb 1,3V = 86,67 µA Rx = 0; I b ≈ = R x + R1 0 + 15kΩ yên ổn = 50µA (FSD); I2 = Ib – yên = 86,67µA – 50µA = 36,67µA. Vm 2,5mV Vm = ImRm = 50µA × 50Ω = 2,5mV; R2 = = 68,18Ω I 2 36,67 µA khi kim lệch 1/2 FSD: im = 25µA; Vm = 25µA × 50Ω = 12,5mV Vm 1,25mV = 18,33µA I2 = = 68,1Ω R2 Ib=Im + I2 = 25µA + 18,3µA =43,33µA V 1,3V R2 + R1 = m = 30kΩ ⇒ R x = 30kΩ − 15kΩ = 15kΩ I b 43,33µA lúc kim lệch 3 phần tư FSD: im = 0,75 × 50µA = 37,5µA; Vm = 37,5µA × 50Ω = 1,875mV. 1,875mV = 27,5µA; Ib =37,5µA + 27,5µA = 65µA. I2 = 68,18Ω V 1,3V R x + R1 = m = 20kΩ ⇒ R x = 20kΩ − 15kΩ = 5kΩ I b 65µA 2.5 Tính cái điện chạy qua cơ cấu đo và độ lệch của kim chỉ thị của ohm-kế bao gồm mạch dô như hình vẽ khi ta sử dung khoảng đo R×1 trong nhị trường hợp: a)Rx = 0 b) Rx = 24Ω Trang 13ĐO LƯỜNG ĐIỆN BÀI TẬP Hình B.2.5 Giải: Mạch tương đương của ohm- kế lúc ta thực hiện tầm đo R×1 trong nhị truwowg gf vừa lòng Rx = 0 với Rx = 24Ω như sau: 1,5V • Rx = 0; I b = 14Ω + <10Ω // ( 9,99kΩ + 2,875kΩ + 3,82kΩ ) > 1,5V Ib = = 62,516mA 14Ω + (10Ω // 16,685kΩ ) dòng Im chạy qua cơ cấu tổ chức đo: 10Ω I m = 62,516mA 10Ω + 16,685kΩ yên ổn = 37,5µA = Ifs: khi kim lệch về tối đa. • Rx = 24Ω: 1,5V Ib = = 31,254mA 24Ω + 14Ω(10Ω // (16,685kΩ ) ) 10Ω 18,72 µA : kim lệch một nửa FSD. I m = 31,254mA 10Ω + 16,685kΩ 2.6 Tính mẫu điện chạy qua cơ cấu tổ chức đo với độ lệch của kim chỉ thị của ohm-kế tất cả mạch như bài 5, khi áp dụng tầm đo R×100 va R×10k trong trường thích hợp Rx = 0. Trang 14ĐO LƯỜNG ĐIỆN BÀI TẬP Hình B.2.6 Giải: • Mạch tương tự của Ohm-kế lúc ta áp dụng tầm đo R×100 cùng R = 0. 1,5V Ib = 1470Ω + <1kΩ // ( 9kΩ + 2,875kΩ + 3,82kΩ ) > 1,5V = 622,38µA = 236kΩ + (1kΩ // 15,695kΩ ) 1kΩ I m = 62238µA = 37,5µA = I fs : kim chỉ thị lệch tối đa. 1kΩ + 6,695kΩ • Mạch tương đương của ohm-kế khi ta sử dungj trung bình đo R×10kΩ với Rx = 0. 15V Ib = 236kΩ + <10kΩ // ( 2,875kΩ + 3,82kΩ ) > 15V = 62,5µA = 236kΩ + <10kΩ // 6,695kΩ> 10kΩ I m = 62,5µA = 37,5kΩ = I fs : Kim thông tư lệch buổi tối đa. 10kΩ + 6,695kΩ Trang 15ĐO LƯỜNG ĐIỆN BÀI TẬP 2.7 Ta đo điện trở bằng cách dùng phương pháp V với A được mắc tốt dài. Ampe-kế chỉ 0,5A,vôn kế chỉ 500V.Ampe kế gồm Ra = 10Ω,10kΩ/V. Tính quý hiếm R. Hình B.2.7 Giải: E + EA = 500V; I = 0,5A E + E A 500V Rx + R = = = 1000Ω I 0,5 A R = 1000Ω - Ra = 1000Ω - 10Ω =990Ω. 2.8 các ampe-kế, vôn kế cùng điện trở R ở bài 2.7 được mắc thấp ngắn. Hãy tính độ chỉ của vôn kế cùng ampe-kế (nguồn hỗ trợ vẫn là 500V). Hình B.2.8 Giải: Nội trở của vôn kế : Rv = 1000V × 10kΩ/V =10MΩ Rv // R = 10MΩ // 990Ω = 989,9Ω Trang 16ĐO LƯỜNG ĐIỆN BÀI TẬP 500V × ( Rv // R ) 5000V × 989,9Ω Độ chỉ của vôn kế : E = = = 495V • R a + ( Rv + R ) 10Ω + 989,9Ω E 495V Độ chỉ của ampe-kế: = I + I v = = = 0,5 A . • Rv // R 989,9Ω CHƯƠNG III: ĐO ĐIỆN DUNG, ĐIỆN CẢM VÀ HỔ CẢM 3.1.Cho mong đo như hình vẽ , biết C1 =0.1μF và tỉ số R3/R4 hoàn toàn có thể chỉnh được đổi khác trong khoảng tầm : 100/1 và 1/100 . Hãy tính CX nhưng cầu có thể đo được. Hình B.3.1 Giải: Ta có: Cx = C1R3/R4 . Với : R3/R4 =100/1 =>CX = 0,1μF(100/1) =10μF với : R3/R4 =1/100 => 0,1μF(1/100) =0,001μF Vậy cầu tất cả tầm đo : tự 0,001μF ÷ 10μF3.2. Cho mong điện dung như hình sau, thành phần chủng loại C1 =0,1µF ;R3 =10kΩ. Biết rằngcầu thăng bằng khi nguồn hỗ trợ co f = 100Hz; R1 =125Ω với R4 = 14,7Ω . Hãy tình giátrị Rs , CS và thông số tổn hao D của tụ? Trang 17ĐO LƯỜNG ĐIỆN BÀI TẬP Hình B.3.2 Giải:Ta gồm : Cs =C1R3/R4; 0,1µF × 10kΩCS = = 0.068μF ; 14,7 kΩ R1 × R 4 125Ω × 14,7kΩRS = = =183.3Ω 10kΩ R3D = ω CSRS = 2π . 100Hz × 0,068μF × 183,8Ω = 0,0083.3. Cho cầu điện dung như hình sau, thành phần chủng loại C1 =0,1µF ;R3 =10kΩ. Biết rằngcầu cân bằng khi nguồn cung ứng co f = 100Hz; R1 =125Ω và R4 = 14,7Ω . Hãy tình giátrị Rs , CS và hệ số tổn hao D của tụ? Trang 18ĐO LƯỜNG ĐIỆN BÀI TẬP Hình B.3.3 Giải:Ta gồm : Cs =C1R3/R4; 0,1µF × 10kΩCS = = 0.068μF ; 14,7 kΩ R1 × R 4 125Ω × 14,7kΩRS = = =183.3Ω 10kΩ R3D = ω CSRS = 2π . 100Hz × 0,068μF × 183,8Ω = 0,0083.4.Cầu Maxwell đo điện cảm sử dụng thành phần mẫu C3 = 0,1μF, nguồn cung ứng cótần số f=100Hz. Cầu cân đối khi R1 =1,26kΩ; R3= 470Ω với R4 =500Ω .Tính trị giáđiện cảm LS, năng lượng điện trở RS và thông số phẩm chất Q của cuộn dây. Hình B.3.4 Giải:Ta gồm :LS =C3R1R4 =0,1μF × 1,26kΩ × 500Ω = 63mH R1 R4 1,26kΩ × 500Ω = = 1.,34kΩRS = 470Ω R3 ωLS 2π × 100 Hz × 63mH = = 0,03Q= 1,34kΩ RS Trang 19ĐO LƯỜNG ĐIỆN BÀI TẬP3.5. Cầu gồm nguồn cung ứng f= 100Hz thăng bằng khi C3 =0,1μF, R1 =1,26kΩ , R3 =75Ωvà R4 =500Ω. Tính năng lượng điện cảm LP ,điện trở RP và thông số phẩm chất Q của cuộn dây? Hình B.3.5 Giải: = C 3 R1 R 4 = 0,1μF × 1,26kΩ × 500Ω = 63mHLP R1 R 4 1,26kΩ × 500ΩRP= = = 8,4kΩ 75Ω R3 8,4kΩ RP = = 212Q= ωL phường 2π × 100 Hz × 63mH3.6. Hãy tính thành phần tương đương LS,RS của cuộn dây tất cả :LP =63Mh ; RP = 8,4kΩ (f =100Hz). Giải: 2 RP X p = ωLP 2 ;thê: RP = 8,4kΩ ; R phường = 7,056 × 10 ; X p. 2 7 ́RS = 2 X p + RP=>XP =2 π × 100Hz × 63mH =39,6ΩX 2 =1,57 × 10 3 ; X p + R phường =7,056 × 107 2 2 p. 8,4kΩ × 1,57 × 10 3 = 0,187Ω ;RS = 7,056 × 10 7 Trang 20